对抗知识焦虑,从看懂这条开始
App 下载对抗知识焦虑,从看懂这条开始
App 下载
类突触结构|能耗优化|AI芯片|氧化铪薄膜|剑桥大学|半导体技术|前沿科技
当你刷短视频时,手机后台的AI在耗电;当数据中心训练大模型时,整栋楼的空调在为服务器降温。现在的AI就像个永远在奔波的快递员——计算单元和存储单元分处两地,它得来回驮着数据跑,每跑一趟就耗掉一大截电。
剑桥大学的一群科学家,花了三年时间给这个“快递员”找了个新据点:一块掺杂了锶和钛的氧化铪薄膜。它能让计算和存储在同一个地方完成,直接把AI的能耗砍去70%。更关键的是,它还能像人脑的突触那样,自己学着调整“记性”。这到底是怎么做到的?
现在的AI芯片,遵循的是70多年前冯·诺依曼定下的规矩:计算单元(CPU/GPU的核心)和存储单元(内存、硬盘)是分开的。就像你在书房写报告,却得每隔十分钟跑到客厅的文件柜里翻资料——来回跑的时间和体力,全成了无用消耗。数据显示,现在AI的能耗里,有90%都花在了“跑数据”上,真正用在计算的只有10%。
科学家们早就想模仿人脑:人脑的神经元既是计算单元也是存储单元,突触连接的强弱就是记忆,信号一来直接在原地处理,根本不用“跑数据”。要实现这种“存算融合”,核心就是造出能模拟突触的器件——忆阻器(memristor),一种能同时存储信息和处理信息的电子元件。

过去的忆阻器,就像用沙子堆桥:靠材料内部随机形成的导电丝来切换电阻状态,不仅电压高、能耗大,还像抽盲盒一样不稳定,这次堆的桥和下次堆的可能完全不一样。剑桥团队的突破,就是把“堆沙子”改成了“建闸门”。

你可以把传统忆阻器的导电丝想象成:在两层金属中间的氧化物薄膜里,随机长出一根细金属丝,连通两边就是“开”,断掉就是“关”。但这根丝的粗细、位置全看运气,所以每次开关的能耗和稳定性都不一样。
剑桥团队的做法是,给氧化铪薄膜掺上锶和钛,再用两步法生长出一层特殊的界面——p-n异质结。这就像在两层金属之间建了一道可以精准调节的闸门:不是靠随机长出来的丝,而是通过调整闸门的“高度”(界面能垒)来控制电流。

但真实的机制比这更精确: 当施加正向电压时,氧离子会在界面处移动,降低能垒高度,电流变大(低阻态); 当施加反向电压时,氧离子移回,能垒升高,电流变小(高阻态)。
这个过程完全可控,没有随机的导电丝,所以开关电流比传统忆阻器低了一百万倍,单次能耗只有2.5皮焦耳到45飞焦耳——相当于一滴水从1毫米高处落下的能量。它还能实现几百种稳定的电阻状态,就像人脑突触的连接强度,可以从弱到强连续调整,完美模拟学习时的突触变化。
更值得关注的是,这种界面型忆阻器解决了传统忆阻器最大的痛点:一致性。过去100个忆阻器可能有100种脾气,现在它们就像同一个模子刻出来的,这是大规模集成的关键。
巴巴克·巴希特博士和他的团队,为了找对这层界面的配方,花了整整三年。最开始他们按照传统工艺,在沉积薄膜时就通入氧气,结果界面总是有缺陷,性能不稳定。直到2025年底,他们试着把氧气的引入时间推迟——先沉积不含氧的薄膜,再在第二步通入氧气,终于得到了均匀稳定的p-n异质结。
但现在还有一道坎:目前的制造工艺需要700℃的高温,而主流半导体工厂的后端工艺温度上限只有400℃。这个温度差,就像你要把一块需要高温烧制的陶瓷,粘到已经做好的塑料玩具上,一加热塑料就化了。
不过团队已经在想办法降温,比如用原子层沉积技术替代现在的工艺。如果能把温度降到400℃以下,这种忆阻器就能直接嫁接到现有的芯片生产线上,不用重建工厂。到那时,你的手机AI助手可以连续工作一周不充电,数据中心的电费能省出几个亿。
我们总说AI要像人脑,但过去的模仿都停留在软件层面——用算法模拟神经网络,硬件还是那个来回跑数据的“快递员”。这次剑桥团队的突破,是第一次在硬件层面,让AI拥有了类似人脑突触的“记性”和“学习能力”。
更重要的是,它给我们指了一条路:AI的未来,不一定是追求更快的计算速度,而是追求更高效的计算方式。就像人类的大脑,只需要20瓦的功率,就能完成比超级计算机更复杂的思考。
存算一体,才是AI能效革命的起点。